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石墨烯及其衍生物電子傳導(dǎo)能力檢測(cè)技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021-07-19 點(diǎn)擊量:922

石墨烯及其衍生物電子傳導(dǎo)能力檢測(cè)技術(shù)

石墨烯及其衍生物具有良好的電子傳導(dǎo)能力、*的材料結(jié)構(gòu),以及優(yōu)異的光電和機(jī)械性能,因此被廣泛應(yīng)用于鈣鈦礦太陽(yáng)電池中,以提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和性能穩(wěn)定性。綜述了石墨烯及其衍生物作為電極材料、電子傳輸層和空穴傳輸層時(shí)在鈣鈦礦太陽(yáng)電池中的研究進(jìn)展,并指出了其在未來(lái)的發(fā)展重點(diǎn)。 

日本napson便攜式電阻檢測(cè)儀EC-80P

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 只需觸摸手持式探頭即可測(cè)量電阻。

  • 在電阻/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換

  • 使用JOG撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件

  • 連接到連接器的可替換電阻測(cè)量探頭可支持多種電阻

  • (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線(xiàn)等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)

測(cè)量尺寸

無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類(lèi)型的總量程/厚度500um)
[抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類(lèi)型的總量程)

*有關(guān)每種探頭類(lèi)型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽(yáng)能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)



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